晶圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序，在晶圆制造中属后道工序。

  将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒），称之为晶圆划片。

  近年来光电产业的快速发展。高集成度和高性能的半导体晶圆划片需求不断增长。

  硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃以及磷化铟等材料被广泛应用于半导体晶圆的衬底材料。

  随着晶圆集成度大幅提高，晶圆趋向于轻薄化，传统的很多加工方式已不再适用。于是部分工序引入了激光隐形切割技术。

方案推荐

采用皮秒激光器、定制聚焦头， 聚焦光束直径小到3μm，切割道仅需10μm，切缝窄，更多的芯片出片率，无热效应，对芯片电路无损伤。

划片速度高达500mm/s, 对于厚度1mm内样品，激光划线仅需一次即可折断。

CCD视觉预扫描&自动抓靶定位、最大加工范围650mm×450mm、XY平台拼接精度≤±3μm。

无锥度切割、最小崩边3μm, 边缘光滑。支持多种视觉定位特征，如十字、实心圆、空心圆、L型直角边、影像特征点等。